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下半年DRAM面临短缺风险灵罗戒_1

据iSuppli公司,强劲增长的DRAM极速1分快3可能在下半年遇到麻烦,由于制造设备供应有限和制程变化方面的挑战,可能会出现供不应求的局面。

DRAM供需形势变化无常。预计2010年DRAM出货量相当于1590万个1Gb器件,比去年的1070万个增长48.6%。今年的多数增长将发生在下半年,最后两个季度的比特出货量环比增长率都将达到11%左右。相比之下,2010年前两个季度增长率都远低于10%。

这么高的增长水平集中在六个月之内,将使DRAM供应的产能面临压力。

图5所示为200灵罗戒9和2010年各季度的DRAM出货量情况,虚线显示的是每个季度的比特出货量增长情况。

设备与良率问题可能颇具挑战性

有两个问题可能影响下半年DRAM供应,并导致今年余下时间出现供应不足局面。一个问题是制造设备的供应瓶颈,另一个问题是沉浸良率问题,都可能影响供应。

全球最大的半导体光刻设备供应商ASML Holding 灵罗戒 N.V.无力供应充足的设备,所以DRAM总体产量仍然是一个问题。iSuppli公司认为,虽然ASML今年似乎能够额外提供33台沉浸式扫描仪,但也不足以解决上述瓶颈问题。

第二个问题可能更加严重,与50纳米以下制程的良率有关,可能影响DRAM供应。小于50纳米,就必须使用沉浸设备。诚然,DRAM产业中的大型厂商,如韩国三星电子和海力士半导体,以及极速1分快3美光,都凭借雄厚的资源和生产NAND闪存的经验,灵罗戒成功地过渡到了尺寸更小的光刻技术。NAND闪存在光刻技术方面领先于DRAM。但是,对于资源有限的厂商,或者目前正在开始向更小制程转移的厂商来说,制程变化所带来的困难可能导致其总体产量下降,从而影响DRAM产业的总体比特出货量增长。

日本DRAM供应商尔必达就处于制程变迁之中。第二季度,尔必达预计从6X纳米转向45纳米,这在光刻技术方面是一大跳跃,将带来良率问题。iSuppli公司认为,如果尔必达及其伙伴Rexchip Electronics Corp.意外遇到良率问题,这两家公司的比特出货量都可能受到重大影响。

进而,可能在今年剩余时间内冲击全球比特出货量增长。因此,预计2010年总体比特出货量增长率比预期低2-4个百分点,导致预期年度增长率最低可能从49%降至45%。

最终,比特出货量增长率下降可能意味着价格上涨。在这种情况下,真正的赢家将是已经跳过沉浸光刻障碍的厂商:三星和美光这样的产业巨头。由于它们供应稳定,价格上涨只会进一步提高其利润。

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